三星成功流片3nm GAA芯片

《科创板日报》30日讯，三星宣布，与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。在3nm节点，三星比较激进，直接选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管，通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。预计三星3nm GAA工艺将应用在高性能运算（HPC）、5G、通信、AI等领域。